Создание энергонезависимых мемристивных структур и исследование их электрофизических характеристик / էներգաանկախ մեմրիստորային կառուցվածքների ստեղծումը և դրանց էլեկտրաֆիզիկական հատկությունների ուսումնասիրումը / The creation of non-volatile memristive structures and investigation of their electrophysical properties
Создание энергонезависимых мемристивных структур и исследование их электрофизических характеристик / էներգաանկախ մեմրիստորային կառուցվածքների ստեղծումը և դրանց էլեկտրաֆիզիկական հատկությունների ուսումնասիրումը / The creation of non-volatile memristive structures and investigation of their electrophysical properties
No Thumbnail Available
Date
2018
Authors
Իգիթյան, Արսեն Սերգեյի / Igityan Arsen
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Հայ-ռուսական (Սլավոնական) համալսարան
Abstract
Разработка элементов энергонезависимой памяти с резистивным механизмом переключения в структурах, основанных на сегнетоэлектрических и полупроводниковых пленках ZnOLi и пленках La₂O₃-ОН / Աշխատանքի նպատակն է սեգնետոէլեկտրիկ և կիսահաղորդիչ թաղանթների և La₂0₃-ОН վրա հիմնված կառուցվածքներում ռեզիստիվ փոխարկման էնեգաանկախ հիշողության տարրերի մշակումը / The development of non-volatile memory with resistive switching mechanism in the structures based on ferroelectric and semiconductor ZnOLi and La₂O₃-ОН films
Description
Ա.04.10 «Կիսահաղորդիչների ֆիզիկա» մասնագիտությամբ Ֆիզիկամաթեմատիկական գիտությունների թեկնածուի գիտական աստիճանի հայցման ատենախոսություն ; Երևան-2018 ; Ատենախոսության թեման հաստատվել է Հայ-ռուսական (Սլավոնական) համալսարանում ; Գիտական ղեկավար` Ե. Ա. Կաֆադարյան ; Պաշտոնական ընդդիմախոսներ՝ Վ. Վ․ Բունիաթյան, Ս․ Վ․ Մելքոնյան ; Առաջատար կազմակերպություն՝ ՀՀ ԳԱԱ ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ ; Ատենախոսություն՝ 136 էջ, սեղմագիր՝ 23 էջ:
Keywords
Ֆիզիկամաթեմատիկական գիտություններ / Mathematics & Physics