Исследование структурных нарушений полупроводниковых кристаллов возникающих под внешними воздействиями методом рентгенодифракционного муара / Արտաքին գործոնների ազդեցության տակ կիսահաղորդչային բյուրեղներում առաջացած խանգարումների հետազոտությունը ռենգենադիֆրակցիոն մուարի եղանակով
Loading...
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Հայաստանի պետական ճարտարագիտական համալսարան
Abstract
Актуальность темы определяется необходимостью исследования физических свойств полупроводниковых кристаллов, подвергаемых действию постоянных электрических и магнитных полей / Ատենախոսությունը նվիրված Է սիլիցիումի միաբյուրեղից պատրաստված ռենտգենյան ինտերֆերոմետրերի միջոցով հաստատուն էլեկտրական և մագնիսական դաշտերի, ինչպես նաև թափանցող ճառագայթման հետևանքով առաջացած կառուցվածքային խանգարումների ուսումնասիրմանը
Description
Ե.16.01 «Նյութագիտություն և կոմպոզիցիոն նյութեր» մասնագիտությամբ տեխնիկական գիտությունների թեկնածուի գիտական աստիճանի հայցման ատենախոսություն ; Երևան-2001 ; Ատենախոսության թեման հաստատվել է Հայաստանի պետական ճարտարագիտական համալսարանում ; Գիտական ղեկավար՝ Ա. Հ. Աբոյան ; Պաշտոնական ընդդիմախոսներ՝ Լ. Ե. Սարգսյան, Մ. Ա. Նավասարդյան ; Առաջատար կազմակերպություն՝ «Լեռնամետալուրգիական ինստիտուտ» ՓԲԸ ; Սեղմագիր՝ 22 էջ։