Ինտեգրալ սխեմաների մուտք/ելք հանգույցների սահմանային դիմադրությունների արժեքների ճշգրտման միջոցների մշակում և հետազոտում / Development and research of self-calibration method of integrated circuit for input/output devices termination resistance variation elimination
Loading...
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
ՀՀ ԿԳՆ Հայաստանի ազգային պոլիտեխնիկական համալսարան
Abstract
Ինտեգրալ սխեմաների (ԻՍ) բաղադրիչների չափերի մասշտաբավորման (սերիական արտադրությունում են ԻՍ-եր, որոնցում կոմպլեմենտար մետաղ օքսիդ-կիսահաղորդիչ (ԿՄՕԿ) սխեմաների տրանզիստորների հոսքուղու երկարությունը հասնում է ընդհուպ մինչև 7նմ և շարունակում է նվազել (FinFET եռաչափ տրանզիստորներ)) և արագագործության աճին զուգընթաց տեխնոլոգիապես ավելի բարդանում է դրանց պարամետրերի ճշտության ապահովումը / Параллельно с ростом масштабирования размеров и быстродействия компонентов интегральных схем (ИС) (в серийных производствах существуют ИС, в которых длина канала транзисторов в схемах комплементарных металл-оксид-полупроводников (КМОП) достигает 7 нм и продолжает уменьшаться (FinFET трехмерные транзисторы)) и одновременно с увеличением скорости технологически становится более сложным обеспечение точности параметров при производстве ИС / With continuous shrinking of technology integrated circuit (IC) component technology sizes(transistor channel length of modern complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) has become 7ոm and continues to decrease (Fin Field transistor - FinFET)), the production of integrated circuits (IC) and parameter accuracy, become technologically more complicated
Description
Ե.27.01 «Էլէկտրոնիկա, միկրո և նանոէլեկտրոնիկա» մասնագիտությամբ տեխնիկական գիտությունների թեկնածուի գիտական աստիճանի հայցման ատենախոսություն ; Երևան-2016 ; Ատենախոսության թեման հաստատվել է Հայաստանի պետական ճարտարագիտական համալսարանում ; Գիտական ղեկավար՝ Վ. Շ. Մելիքյան ; Պաշտոնական ընդդիմախոսներ՝ Օ. Հ. Պետրոսյան, Գ. Ե. Այվազյան ; Առաջատար կազմակերպություն` ՀՀ ԳԱԱ ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ ; Ատենախոսություն՝ 161 էջ, սեղմագիր՝ 22 էջ։