Исследование электронных и оптических свойств квантовых структур со сложной геометрией / Բարդ երկրաչափությամբ քվանտային կառուցվածքների էլեկտրոնային և օպտիկական հատկությունների հետազոտումը
Loading...
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Երևանի պետական համալսարան
Abstract
Прогресс современных полупроводниковых технологий сделал возможным производство низкоразмерных полупроводниковых структур, в которых движение носителей заряда (H3) ограничено в одном, в двух и в трех направлениях / Խիստ սեղմված էլիպսարդային քվանտային կետում (ԽՍԷՔԿ) և խիստ ձգված էլիպսարդային քվանտային կետում (ԽՁԷՔԿ) ադիաբատական մոտավորությամբ ստացվել են էլեկտրոնի էներգիական սպեկտրի վերլուծական արտահայտություններ չափային քվանտացման (ՉՔ) երեք ուժեղ, միջանկյալ և թույլ ռեժիմներում
Description
Ա.04.10 «Կիսահաղորդիչների ֆիզիկա» մասնագիտությամբ ֆիզիկամաթեմատիկական գիտությունների թեկնածուի
գիտական աստիճանի հայցման ատենախոսություն ; Երևան-2009 ; Ատենախոսության թեման հաստատվել է Երևանի պետական համալսարանում ; Գիտական ղեկավար՝ Ժ. Ռ. Փանոսյան ; Գիտական խորհրդատու՝ Է. Մ. Ղազարյան ; Պաշտոնական ընդդիմախոսներ՝ Ա. Ա. Կիրակոսյան, Ա. Հ. Մելիքյան ; Առաջատար կազմակերպություն՝ ՀՀ ԳԱԱ ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ ; Սեղմագիր՝ 26 էջ։