A3B5 դասի և Si-Ge-C կիսահաղորդչային համակարգերում նանոկառուցվածքների ձևավորման օրինաչափությունները
A3B5 դասի և Si-Ge-C կիսահաղորդչային համակարգերում նանոկառուցվածքների ձևավորման օրինաչափությունները
| dc.contributor.author | Սիմոնյան, Արփինե Կորյունի / Simonyan Arpine | |
| dc.date.accessioned | 2023-02-15T08:10:07Z | |
| dc.date.available | 2023-02-15T08:10:07Z | |
| dc.date.issued | 2013 | |
| dc.description | Ա.04.10 «Կիսահաղորդիչների ֆիզիկա» մասնագիտությամբ ֆիզիկամաթեմատիկական գիտությունների թեկնածուի գիտական աստիճանի հայցման ատենախոսություն ; Երևան-2013 ; Ատենախոսության թեման հաստատվել է Երևանի պետական համալսարանում (ԵՊՀ) ; Գիտական ղեկավար՝ Կ. Մ. Ղամբարյան ; Պաշտոնական ընդդիմախոսներ՝ Ա. Ա. Կիրակոսյան, Ժ. Դոխոլյան ; Առաջատար կազմակերպություն` ՀՀ ԳԱԱ ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ ; Սեղմագիր՝ 24 էջ։ | |
| dc.description.abstract | Նանոչափային կառուցվածքները, ինչպիսիք են կիսահաղորդչային քվանտային կետերը, ունեն էլեկտրոնային և օպտիկական հատկություններ, որոնք հատուկ են ինչպես մակրո և միկրոչափային ծավալային կիսահաղորդչային բյուրեղներին, այնպես էլ ատոմներին և մոլեկուլներին / Диссертация посвящена исследованию механизмов зародышеобразования наноструктур в полупроводниковых соединениях A3B5 и в системе Si-Ge-C / The main purpose of the thesis is the study and investigation of nucleation mechanisms of III-V semiconductor compounds and in Si-Ge-C material system | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nla.am/handle/123456789/1348 | |
| dc.language.iso | arm | |
| dc.pages | Սեղմագիր՝ 24 էջ | |
| dc.publication.place | Երևան | |
| dc.publisher | ՀՀ ԿԳՆ Երևանի պետական համալսարան | |
| dc.subject | Ֆիզիկամաթեմատիկական գիտություններ / Mathematics & Physics | |
| dc.title | A3B5 դասի և Si-Ge-C կիսահաղորդչային համակարգերում նանոկառուցվածքների ձևավորման օրինաչափությունները | |
| dc.type | Abstract | |
| eperson.lastname | NT |