A3B5 դասի և Si-Ge-C կիսահաղորդչային համակարգերում նանոկառուցվածքների ձևավորման օրինաչափությունները
A3B5 դասի և Si-Ge-C կիսահաղորդչային համակարգերում նանոկառուցվածքների ձևավորման օրինաչափությունները
No Thumbnail Available
Date
2013
Authors
Սիմոնյան, Արփինե Կորյունի / Simonyan Arpine
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
ՀՀ ԿԳՆ Երևանի պետական համալսարան
Abstract
Նանոչափային կառուցվածքները, ինչպիսիք են կիսահաղորդչային քվանտային կետերը, ունեն էլեկտրոնային և օպտիկական հատկություններ,
որոնք հատուկ են ինչպես մակրո և միկրոչափային ծավալային կիսահաղորդչային բյուրեղներին, այնպես էլ ատոմներին և մոլեկուլներին / Диссертация посвящена исследованию механизмов зародышеобразования наноструктур в полупроводниковых соединениях A3B5 и в системе Si-Ge-C / The main purpose of the thesis is the study and investigation of nucleation mechanisms of III-V semiconductor compounds and in Si-Ge-C material system
Description
Ա.04.10 «Կիսահաղորդիչների ֆիզիկա» մասնագիտությամբ ֆիզիկամաթեմատիկական գիտությունների թեկնածուի գիտական աստիճանի հայցման ատենախոսություն ; Երևան-2013 ; Ատենախոսության թեման հաստատվել է Երևանի պետական համալսարանում (ԵՊՀ) ; Գիտական ղեկավար՝ Կ. Մ. Ղամբարյան ; Պաշտոնական ընդդիմախոսներ՝ Ա. Ա. Կիրակոսյան, Ժ. Դոխոլյան ; Առաջատար կազմակերպություն` ՀՀ ԳԱԱ ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ ; Սեղմագիր՝ 24 էջ։
Keywords
Ֆիզիկամաթեմատիկական գիտություններ / Mathematics & Physics