A3B5 դասի և Si-Ge-C կիսահաղորդչային համակարգերում նանոկառուցվածքների ձևավորման օրինաչափությունները

Abstract

Նանոչափային կառուցվածքները, ինչպիսիք են կիսահաղորդչային քվանտային կետերը, ունեն էլեկտրոնային և օպտիկական հատկություններ, որոնք հատուկ են ինչպես մակրո և միկրոչափային ծավալային կիսահաղորդչային բյուրեղներին, այնպես էլ ատոմներին և մոլեկուլներին / Диссертация посвящена исследованию механизмов зародышеобразования наноструктур в полупроводниковых соединениях A3B5 и в системе Si-Ge-C / The main purpose of the thesis is the study and investigation of nucleation mechanisms of III-V semiconductor compounds and in Si-Ge-C material system