Создание энергонезависимых мемристивных структур и исследование их электрофизических характеристик / էներգաանկախ մեմրիստորային կառուցվածքների ստեղծումը և դրանց էլեկտրաֆիզիկական հատկությունների ուսումնասիրումը / The creation of non-volatile memristive structures and investigation of their electrophysical properties

Abstract

Разработка элементов энергонезависимой памяти с резистивным механизмом переключения в структурах, основанных на сегнетоэлектрических и полупроводниковых пленках ZnOLi и пленках La₂O₃-ОН / Աշխատանքի նպատակն է սեգնետոէլեկտրիկ և կիսահաղորդիչ թաղանթների և La₂0₃-ОН վրա հիմնված կառուցվածքներում ռեզիստիվ փոխարկման էնեգաանկախ հիշողության տարրերի մշակումը / The development of non-volatile memory with resistive switching mechanism in the structures based on ferroelectric and semiconductor ZnOLi and La₂O₃-ОН films