(n)CdTe-(p)InSb հետերոանցման հիման վրա ստեղծված ինֆրակարմիր ֆոտոընդունիչների հետազոտում / Investigation of infrared photodetectors based on (n)cdte-(p)insb heterojunction
Loading...
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
ՀՀ ԿԳՆ Երևանի պետական համալսարան
Abstract
Ներկայումս միջին ինֆրակարմիր ալիքային տիրույթի (3-5 մկմ) ֆոտոընդունիչները լայն տարածում ունեն ռազմական, գիտահետազոտական, արդյունաբերության, բժշկության և այլ ոլորտներում / Ключевые слова: инфракрасный фотодетектор, лазерно-импульсное осаждение, двумерный координатно-чувствительны фотоприемник, CdTe/ InSb гетеропереход / Key words: Infrared photodetector, pulsed laser deposition, two-dimensional coordinatesensitive photodetectors, CdTe/InSb heterojunction
Description
Ա.04.10 «Կիսահաղորդիչների ֆիզիկա» մասնագիտությամբ ֆիզիկամաթեմատիկական գիտությունների թեկնածուի գիտական աստիճանի հայցման ատենախոսություն ; Աշտարակ-2016 ; Ատենախոսության թեման հաստատվել է ՀՀ ԳԱԱ Ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտում ; Գիտական ղեկավար՝ Ս. Գ. Պետրոսյան ; Պաշտոնական ընդդիմախոսներ՝ Ա. Գ. Սարգսյան, Լ. Ն Գրիգորյան ; Առաջատար կազմակերպություն՝ Հայաստանի ազգային պոլիտեխնիկական համալսարան ; Ատենախոսություն՝ 102 էջ, սեղմագիր՝ 22 էջ։