Некоторые вопросы теории электронных и оптических свойств квантовых низкоразмерных полупроводниковых структур / Ցածր չափայնությամբ քվանտային կիսահաղորդչային համակարգերի էլեկտրոնային և օպտիկական հատկությունների տեսության որոշ հարցեր
Loading...
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
ՀՀ ԿԳՆ Երևանի պետական համալսարան
Abstract
Развитие современных прецизионных методов изготовления низкоразмерных полупроводниковых структур сделало возможным получение двумерных, одномерных и нульмерных систем с ранее недоступной точностью [1] / Ցույց է տված, որ հատած պարաբոլական պոտենցիալով սահմանափակված GaAs/Ga, AlAA -ի քվանտային կետերում ընդհատ վիճակների առաջացումը կրում է շեմային բնույթ, ընդ որում պարաբոլական պոտենցիալի ձևափոխումը բերում է վիճակների՝ ըստ ուղեծրային քվանտային թվի այլասերման վերացմանը, իսկ քվանտային կետից դուրս էլեկտրոնի էներգիական մակարդակների կախվածությունը քվանտային կետի շառավղից աստիճանաձև է
Description
Ա.04.10 «Կիսահաղորդիչների ֆիզիկա» մասնագիտությամբ ֆիզիկամաթեմատիկական գիտությունների դոկտորի գիտական աստիճանի հայցման ատենախոսություն ; Երևան-2005 ; Ատենախոսության թեման հաստատվել է Երևանի պետական համալսարանում ; Գիտական խորհրդատու՝ Է. Մ. Ղազարյան ; Պաշտոնական ընդդիմախոսներ՝ Ս. Գ. Պետրոսյան, Ա. Հ. Մելիքյան, Վ. Ա. Հարությունյան ; Առաջատար կազմակերպություն՝ ՀՀ ԳԱԱ ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ ; Սեղմագիր՝ 34 էջ։