Разработка и исследование полупроводниковых наноструктурных оптоэлектронных приборов / Կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքային օպտոէլեկտրոնային սարքերի մշակում և հետազոտում
Разработка и исследование полупроводниковых наноструктурных оптоэлектронных приборов / Կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքային օպտոէլեկտրոնային սարքերի մշակում և հետազոտում
No Thumbnail Available
Date
2009
Authors
Շմավոնյան, Գագիկ Շմավոնի / Shmavonyan Gagik
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Հայաստանի պետական ճարտարագիտական համալսարան (Պոլիտեխնիկ)
Abstract
В настоящее время развитие информационных и высоких технологии, переход от микроэлектроники к наноэлектронике, a также
учет новых требований, предъявляемых к характеристикам полупроводниковых оптоэлектронных приборов, в основном обусловлены не только совершенствованием электрических, оптических, фотоэлектрических и других
свойств известных материалов и приборов, но и разработкой новых приборов
на основе полупроводниковых многослойных гетероструктур / Որոշվել է Si(113) բյուրեղի դեռևս վերջնականապես չպարզաբանված մակերևութային վերակառուցումը: Մշակվել են.
Si-ի հարթակի (Si(113), Si(001)-6º) վրա Ge-ի հարթ ու բարձրորակ բարակ
թաղանթի էպիտաքսային աճեցման տեխնոլոգիա
Description
Ե.27.01 «Պինդմարմնային էլեկտրոնիկա, ռադիոէլեկտրոնային
բաղադրամասեր, միկրոէլեկտրոնիկա» մասնագիտությամբ
տեխնիկական գիտությունների դոկտորի գիտական
աստիճանի հայցման ատենախոսություն ; Երևան-2009 ; Ատենախոսության թեման հաստատվել է Հայաստանի պետական ճարտարագիտական համալսարանում (Պոլիտեխնիկ) ; Պաշտոնական ընդդիմախոսներ՝ Ռ. Ռ. Վարդանյան, է. Ս. Վարդանյան, Հ. Ն. Երիցյան ; Առաջատար կազմակերպություն՝ Երևանի պետական համալսարանի «Կիսահաղորդիչների ֆիզիկա և միկրոէլեկտրոնիկա» ամբիոնին կից «Կիսահաղորդչային սարքերի և նանոտեխնոլոգիայի» կենտրոն ; Սեղմագիր՝ 33 էջ։
Keywords
Տեխնիկական գիտություններ / Engineering & Technology