Разработка и исследование полупроводниковых наноструктурных оптоэлектронных приборов / Կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքային օպտոէլեկտրոնային սարքերի մշակում և հետազոտում

Abstract

В настоящее время развитие информационных и высоких технологии, переход от микроэлектроники к наноэлектронике, a также учет новых требований, предъявляемых к характеристикам полупроводниковых оптоэлектронных приборов, в основном обусловлены не только совершенствованием электрических, оптических, фотоэлектрических и других свойств известных материалов и приборов, но и разработкой новых приборов на основе полупроводниковых многослойных гетероструктур / Որոշվել է Si(113) բյուրեղի դեռևս վերջնականապես չպարզաբանված մակերևութային վերակառուցումը: Մշակվել են. Si-ի հարթակի (Si(113), Si(001)-6º) վրա Ge-ի հարթ ու բարձրորակ բարակ թաղանթի էպիտաքսային աճեցման տեխնոլոգիա