Ցածր հզորությամբ ենթամիկրոնային կոմպլեմենտար մետաղ-օքսիդ-կիսահաղորդիչ օպերատիվ հիշող սարքերի մշակումը և հետազոտումը / Elaboration and investigation of low power submicron complementary metal-oxide semiconductor operative storage devices

Abstract

Տրանզիստորների սուբմիկրոնային չափերին անցման և պրոցեսորների հաճախականությունների բարձրացման հետևանքով խիստ պահանջներ են առաջադրվում գերմեծ ինտեգրալ սխեմաների (ԳՄԻՍ) ստատիկ օպերատիվ հիշող սարքերի (U0ՀU) և դրանց կրիտիկական տարրերի հիշող բջիջներ, ընթերցման ուժեղարարներ, հասցեների վերծանիչներ,պարամետրերի և բնութագրերի նկատմամբ / С переходом транзисторов на субмикронные размеры и увеличением частоты процессоров все более возрастают требования к характеристикам статических оперативных запоминающих устройств (СОЗУ)сверхбольших интегральных схем (СБИС). a также к их критическим узлам, таким как запоминающие ячейки (ЗЯ), усилители считывания и адресные дешифраторы (ДШI) / As a result of the transition to the submicron sizes of transistors and increasing frequency of processors, strict requirements are set for VLSI-s SRAM-S and their critical components (memory cells,sens amplifiers, addresses decoders) parameters and characteristics