Межзонные переходы и электронные состояния в квантовых наноструктурах с цилиндрической симметрией при наличии внешних полей / Միջգոտիական անցումները և էլեկտրոնային վիճակները գլանային համաչափությամբ քվանտային նանոհամակարգերում արտաքին դաշտերի առկայությամբ

Abstract

Изучение электронных характеристик полупроводниковых нано- структур является одной из важнейших задач физики полупроводников, открывающей возможности применения этих систем в приборах нового поколения / Ատենախոսությունը նվիրված է GaAs և InGaAs-ի գլանային քվանտային կետերում և նանոշերտերում միաէլեկտրոնային և էքսիտոնային վիճակների, ինչպես նաև միջգոտիական կլանման ուսումնասիրմանը