Ինտեգրալ սխեմաների մուտք/ելք հանգույցների սահմանային դիմադրությունների արժեքների ճշգրտման միջոցների մշակում և հետազոտում / Development and research of self-calibration method of integrated circuit for input/output devices termination resistance variation elimination
Ինտեգրալ սխեմաների մուտք/ելք հանգույցների սահմանային դիմադրությունների արժեքների ճշգրտման միջոցների մշակում և հետազոտում / Development and research of self-calibration method of integrated circuit for input/output devices termination resistance variation elimination
dc.contributor.author | Ալեքսանյան, Անի Լենսերի / Aleksanyan Ani | |
dc.date.accessioned | 2022-12-16T17:20:36Z | |
dc.date.available | 2022-12-16T17:20:36Z | |
dc.date.issued | 2016 | |
dc.description | Ե.27.01 «Էլէկտրոնիկա, միկրո և նանոէլեկտրոնիկա» մասնագիտությամբ տեխնիկական գիտությունների թեկնածուի գիտական աստիճանի հայցման ատենախոսություն ; Երևան-2016 ; Ատենախոսության թեման հաստատվել է Հայաստանի պետական ճարտարագիտական համալսարանում ; Գիտական ղեկավար՝ Վ. Շ. Մելիքյան ; Պաշտոնական ընդդիմախոսներ՝ Օ. Հ. Պետրոսյան, Գ. Ե. Այվազյան ; Առաջատար կազմակերպություն` ՀՀ ԳԱԱ ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ ; Ատենախոսություն՝ 161 էջ, սեղմագիր՝ 22 էջ։ | |
dc.description.abstract | Ինտեգրալ սխեմաների (ԻՍ) բաղադրիչների չափերի մասշտաբավորման (սերիական արտադրությունում են ԻՍ-եր, որոնցում կոմպլեմենտար մետաղ օքսիդ-կիսահաղորդիչ (ԿՄՕԿ) սխեմաների տրանզիստորների հոսքուղու երկարությունը հասնում է ընդհուպ մինչև 7նմ և շարունակում է նվազել (FinFET եռաչափ տրանզիստորներ)) և արագագործության աճին զուգընթաց տեխնոլոգիապես ավելի բարդանում է դրանց պարամետրերի ճշտության ապահովումը / Параллельно с ростом масштабирования размеров и быстродействия компонентов интегральных схем (ИС) (в серийных производствах существуют ИС, в которых длина канала транзисторов в схемах комплементарных металл-оксид-полупроводников (КМОП) достигает 7 нм и продолжает уменьшаться (FinFET трехмерные транзисторы)) и одновременно с увеличением скорости технологически становится более сложным обеспечение точности параметров при производстве ИС / With continuous shrinking of technology integrated circuit (IC) component technology sizes(transistor channel length of modern complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) has become 7ոm and continues to decrease (Fin Field transistor - FinFET)), the production of integrated circuits (IC) and parameter accuracy, become technologically more complicated | |
dc.identifier.uri | http://dspace.nla.am/handle/123456789/779 | |
dc.language.iso | arm | |
dc.pages | Ատենախոսություն՝ 161 էջ, սեղմագիր՝ 22 էջ | |
dc.publication.place | Երևան | |
dc.publisher | ՀՀ ԿԳՆ Հայաստանի ազգային պոլիտեխնիկական համալսարան | |
dc.subject | Տեխնիկական գիտություններ / Engineering & Technology | |
dc.title | Ինտեգրալ սխեմաների մուտք/ելք հանգույցների սահմանային դիմադրությունների արժեքների ճշգրտման միջոցների մշակում և հետազոտում / Development and research of self-calibration method of integrated circuit for input/output devices termination resistance variation elimination | |
dc.type | Thesis | |
dc.type | Abstract | |
eperson.lastname | SK |
Files
License bundle
1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
- Name:
- license.txt
- Size:
- 1.71 KB
- Format:
- Item-specific license agreed to upon submission
- Description: