Разработка и исследование низковольтных узлов ввода-вывода управления памятью / Ցածրավոլտ հիշողության ղեկավարման մուտք/ելք հանգույցների մշակումը և հետազոտումը / Development and research of low-voltage memory control input/output devices

Abstract

Технологические процессы производства современных интегральных схем (ИС) активно развиваются. Минимальная длина канала используемых в них полевых транзисторов металл-оксид-полупроводни (MOIT) достигает 2 нм / Արդի ինտերգրալ սխեմաներում (ԻՍ) տրանզիստորների քանակը շարունակական կերպով աճում է: Դրան նպաստում է տեխնոլոգիական գործընթացի ակտիվ զարգացումը: ԻՍ-երում օգտագործվող մետաղ-օքսիդկիսահաղորդիչ (ՄՕԿ) դաշտային տրանզիստորների հոսքուղու նվազագույն երկարությունը ներկայումս հասնում է 2նմ-ի / The number of transistors in modern integrated circuits(IC) is continuously increasing