Влияние особенностей экранирования электрического поля на контактные явления и на распределение неравновесных носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах / Էլեկտրական դաշտի էկրանավորման առանձնահատկությունների ազդեցությունը կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքներում կոնտակտային երևույթների և անհավասարակշիռ լիցքակիրների բաշխման վրա

No Thumbnail Available
Files
abs6841_achoyan_ocr.pdf(1.68 MB)
Date
2010
Authors
Աչոյան, Արամ Շալիկոյի / Achoyan Aran
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
ՀՀ ԿԳՆ Երևանի պետական համալսարան
Abstract
Последние три десятилетия развития физики твердого тела характеризуются тем, что в качестве основных объектов исследования все в большей степени выступают не массивные кристаллы, a тонкие пленки, многослойные пленочные системы, проводящие нити и кристаллиты малого размера / Աշխատանքի նպատակն է ցածրչափային կոնտակտային երևույթների տեսության ընդլայնումը ասիմետրիկ երկչափ p-n անցման համար, տարբեր հաստությամբ և շառավղով նանոթաղանթին կամ նանոլարին, ինչպես նաև նրանց պարբերականորեն դասավորված համախմբին, Շոտտկի կոնտակտների տեսության կառուցումը, ոչ հիմնական լիցքակիրների բաշխման հետազոտումը ցածրչափային համակարգերում միաբևեռ և երկբևեռ գեներացիայի դեպքում և 2D համակարգերում Դեմբերի էֆեկտի տեսության կառուցումը
Description
Ա.04.10 «Կիսահաղորդիչների ֆիզիկա» մասնագիտությամբ ֆիզիկամաթեմատիկական գիտությունների թեկնածուի գիտական աստիճանի հայցման ատենախոսություն ; Երևան-2010 ; Ատենախոսության թեման հաստատվել է Հայ-ռուսական (Սլավոնական) համալսարանում ; Գիտական ղեկավար՝ Ս. Գ. Պետրոսյան ; Պաշտոնական ընդդիմախոսներ՝ Ա. Ա. Կիրակոսյան, Հ. Ռ. Մինասյան ; Առաջատար կազմակերպություն՝ ՀՀ ԳԱԱ ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ ; Սեղմագիր՝ 22 էջ։
Keywords
Ֆիզիկամաթեմատիկական գիտություններ / Mathematics & Physics
Citation
URI
http://dspace.nla.am/handle/123456789/8882
Collections
Ատենախոսություններ և սեղմագրեր / Theses & Abstracts