Влияние особенностей экранирования электрического поля на контактные явления и на распределение неравновесных носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах / Էլեկտրական դաշտի էկրանավորման առանձնահատկությունների ազդեցությունը կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքներում կոնտակտային երևույթների և անհավասարակշիռ լիցքակիրների բաշխման վրա

Abstract

Последние три десятилетия развития физики твердого тела характеризуются тем, что в качестве основных объектов исследования все в большей степени выступают не массивные кристаллы, a тонкие пленки, многослойные пленочные системы, проводящие нити и кристаллиты малого размера / Աշխատանքի նպատակն է ցածրչափային կոնտակտային երևույթների տեսության ընդլայնումը ասիմետրիկ երկչափ p-n անցման համար, տարբեր հաստությամբ և շառավղով նանոթաղանթին կամ նանոլարին, ինչպես նաև նրանց պարբերականորեն դասավորված համախմբին, Շոտտկի կոնտակտների տեսության կառուցումը, ոչ հիմնական լիցքակիրների բաշխման հետազոտումը ցածրչափային համակարգերում միաբևեռ և երկբևեռ գեներացիայի դեպքում և 2D համակարգերում Դեմբերի էֆեկտի տեսության կառուցումը