Влияние особенностей экранирования электрического поля на контактные явления и на распределение неравновесных носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах / Էլեկտրական դաշտի էկրանավորման առանձնահատկությունների ազդեցությունը կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքներում կոնտակտային երևույթների և անհավասարակշիռ լիցքակիրների բաշխման վրա
Влияние особенностей экранирования электрического поля на контактные явления и на распределение неравновесных носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах / Էլեկտրական դաշտի էկրանավորման առանձնահատկությունների ազդեցությունը կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքներում կոնտակտային երևույթների և անհավասարակշիռ լիցքակիրների բաշխման վրա
| dc.contributor.author | Աչոյան, Արամ Շալիկոյի / Achoyan Aran | |
| dc.date.accessioned | 2024-02-22T08:20:30Z | |
| dc.date.available | 2024-02-22T08:20:30Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.description | Ա.04.10 «Կիսահաղորդիչների ֆիզիկա» մասնագիտությամբ ֆիզիկամաթեմատիկական գիտությունների թեկնածուի գիտական աստիճանի հայցման ատենախոսություն ; Երևան-2010 ; Ատենախոսության թեման հաստատվել է Հայ-ռուսական (Սլավոնական) համալսարանում ; Գիտական ղեկավար՝ Ս. Գ. Պետրոսյան ; Պաշտոնական ընդդիմախոսներ՝ Ա. Ա. Կիրակոսյան, Հ. Ռ. Մինասյան ; Առաջատար կազմակերպություն՝ ՀՀ ԳԱԱ ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ ; Սեղմագիր՝ 22 էջ։ | |
| dc.description.abstract | Последние три десятилетия развития физики твердого тела характеризуются тем, что в качестве основных объектов исследования все в большей степени выступают не массивные кристаллы, a тонкие пленки, многослойные пленочные системы, проводящие нити и кристаллиты малого размера / Աշխատանքի նպատակն է ցածրչափային կոնտակտային երևույթների տեսության ընդլայնումը ասիմետրիկ երկչափ p-n անցման համար, տարբեր հաստությամբ և շառավղով նանոթաղանթին կամ նանոլարին, ինչպես նաև նրանց պարբերականորեն դասավորված համախմբին, Շոտտկի կոնտակտների տեսության կառուցումը, ոչ հիմնական լիցքակիրների բաշխման հետազոտումը ցածրչափային համակարգերում միաբևեռ և երկբևեռ գեներացիայի դեպքում և 2D համակարգերում Դեմբերի էֆեկտի տեսության կառուցումը | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nla.am/handle/123456789/8882 | |
| dc.language.iso | rus | |
| dc.pages | Սեղմագիր՝ 22 էջ | |
| dc.publication.place | Երևան | |
| dc.publisher | ՀՀ ԿԳՆ Երևանի պետական համալսարան | |
| dc.subject | Ֆիզիկամաթեմատիկական գիտություններ / Mathematics & Physics | |
| dc.title | Влияние особенностей экранирования электрического поля на контактные явления и на распределение неравновесных носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах / Էլեկտրական դաշտի էկրանավորման առանձնահատկությունների ազդեցությունը կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքներում կոնտակտային երևույթների և անհավասարակշիռ լիցքակիրների բաշխման վրա | |
| dc.type | Abstract | |
| eperson.lastname | KT |