Физические явления в структурах с двойной инжекцией на основе компенсированных полупроводников / Ֆիզիկական երևույթները կոմպենսացված կիսահաղորդիչներից պատրաստված երկկողմանի ինժեկցիոն կառուցվածքներում
Loading...
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
ՀՀ ԳԱԱ ֆիզիկայի կիրառական պրոբլեմների ինստիտուտ
Abstract
Интенсивное развитие физики инжекционных явлений в компенсированных полупроводниках привело к
созданию многочисленных полупроводниковых приборов различного назначения, в основе работы которых лежат инжекция носителей заряда
и обусловленные ею явления, протекающие в объеме полупроводника / Ատենախոսությունը նվիրված է կոմպենսացված կիսահաղորդիչներից պատրաստված երկկողմանի ինժեկցիայով կառուցվածքների ստատիկ և դինամիկական բնութագրերի, ֆոտոէլեկտրական ուժեղացման և ներքին աղմուկների ուսումնասիրմանը, կիսահաղորդչում ցածր հաճախային 1/f աղմուկների ձևավորման
գործում էլեկտրոն-ֆոնոնային փոխազդեցության դերի բացահայտմանը
Description
Ա.04.07 «Պինդ մարմնի ֆիզիկա» մասնագիտությամբ ֆիզիկա-մաթեմատիկական գիտությունների դոկտորի
գիտական աստիճանի հայցման ատենախոսություն ; Երևան-1995 ; Ատենախոսության թեման հաստատվել է Երևանի պետական համալսարանում ; Գիտական խորհրդատու՝ Վ. Մ. Հարությունյան ; Պաշտոնական ընդդիմախոսներ՝ Է. Մ. Ղազարյան, Ս. Օ. Մկրտչյան, Ա. Գ. Ալեքսանյան ; Առաջատար կազմակերպություն՝ Երևանի ֆիզիկայի ինստիտուտ ; Սեղմագիր՝ 32 էջ։