Физические явления в структурах с двойной инжекцией на основе компенсированных полупроводников / Ֆիզիկական երևույթները կոմպենսացված կիսահաղորդիչներից պատրաստված երկկողմանի ինժեկցիոն կառուցվածքներում
Физические явления в структурах с двойной инжекцией на основе компенсированных полупроводников / Ֆիզիկական երևույթները կոմպենսացված կիսահաղորդիչներից պատրաստված երկկողմանի ինժեկցիոն կառուցվածքներում
| dc.contributor.author | Գասպարյան, Ֆերդինանդ Վազգենի / Gasparyan Ferdinand | |
| dc.date.accessioned | 2024-03-13T12:08:57Z | |
| dc.date.available | 2024-03-13T12:08:57Z | |
| dc.date.issued | 1995 | |
| dc.description | Ա.04.07 «Պինդ մարմնի ֆիզիկա» մասնագիտությամբ ֆիզիկա-մաթեմատիկական գիտությունների դոկտորի գիտական աստիճանի հայցման ատենախոսություն ; Երևան-1995 ; Ատենախոսության թեման հաստատվել է Երևանի պետական համալսարանում ; Գիտական խորհրդատու՝ Վ. Մ. Հարությունյան ; Պաշտոնական ընդդիմախոսներ՝ Է. Մ. Ղազարյան, Ս. Օ. Մկրտչյան, Ա. Գ. Ալեքսանյան ; Առաջատար կազմակերպություն՝ Երևանի ֆիզիկայի ինստիտուտ ; Սեղմագիր՝ 32 էջ։ | |
| dc.description.abstract | Интенсивное развитие физики инжекционных явлений в компенсированных полупроводниках привело к созданию многочисленных полупроводниковых приборов различного назначения, в основе работы которых лежат инжекция носителей заряда и обусловленные ею явления, протекающие в объеме полупроводника / Ատենախոսությունը նվիրված է կոմպենսացված կիսահաղորդիչներից պատրաստված երկկողմանի ինժեկցիայով կառուցվածքների ստատիկ և դինամիկական բնութագրերի, ֆոտոէլեկտրական ուժեղացման և ներքին աղմուկների ուսումնասիրմանը, կիսահաղորդչում ցածր հաճախային 1/f աղմուկների ձևավորման գործում էլեկտրոն-ֆոնոնային փոխազդեցության դերի բացահայտմանը | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nla.am/handle/123456789/9296 | |
| dc.language.iso | rus | |
| dc.pages | Սեղմագիր՝ 32 էջ | |
| dc.publication.place | Երևան | |
| dc.publisher | ՀՀ ԳԱԱ ֆիզիկայի կիրառական պրոբլեմների ինստիտուտ | |
| dc.subject | Ֆիզիկամաթեմատիկական գիտություններ / Mathematics & Physics | |
| dc.title | Физические явления в структурах с двойной инжекцией на основе компенсированных полупроводников / Ֆիզիկական երևույթները կոմպենսացված կիսահաղորդիչներից պատրաստված երկկողմանի ինժեկցիոն կառուցվածքներում | |
| dc.type | Abstract | |
| eperson.lastname | KT |