Разработка и исследование быстродействующих перепрограммируемых элементов памяти с ферроэлектрической и металл-оксид-полупроводник структурами / Ֆերոէլեկտրական և մետաղ-օքսիդ-կիսահաղորդիչ կառուցվածքներով վերածրագրավորվող արագագործ հիշող տարրերի մշակումը և հետազոտումը / Development and research of high-speed reprogrammable memory elements with ferroelectric and metal-oxide-semiconductor structures

Abstract

Ферроэлектрические запоминающие устройства с произвольным доступом являются следующим поколением будущих запоминающих устройств благодаря высокой скорости, низкой стоимости, малому энергопотреблению, энергонезависимости и хорошей совместимости с существующей технологией интегральных схем / Ատենախոսությունը նվիրված է ֆերոէլեկտրական հիշող սարքավորումների մասշտաբավորման, ինտեգրացման խտության և արագագործության բարձրացման հնարավորությունների, հիստերեզիսային ու հոգնածության երևույթների, ինչպես նաև ջերմաստիճանային պարամետրերի փոփոխման լայն սահմաններում բնութագրերի հետազոտման, մշակման և իրականացման խնդիրներին / Ferroelectric random access memories are the next generation future memories due to high speed, low cost, low power, nonvolatality and good compatibility with the existing integrated circuit technology