Разработка и исследование быстродействующих перепрограммируемых элементов памяти с ферроэлектрической и металл-оксид-полупроводник структурами / Ֆերոէլեկտրական և մետաղ-օքսիդ-կիսահաղորդիչ կառուցվածքներով վերածրագրավորվող արագագործ հիշող տարրերի մշակումը և հետազոտումը / Development and research of high-speed reprogrammable memory elements with ferroelectric and metal-oxide-semiconductor structures
Разработка и исследование быстродействующих перепрограммируемых элементов памяти с ферроэлектрической и металл-оксид-полупроводник структурами / Ֆերոէլեկտրական և մետաղ-օքսիդ-կիսահաղորդիչ կառուցվածքներով վերածրագրավորվող արագագործ հիշող տարրերի մշակումը և հետազոտումը / Development and research of high-speed reprogrammable memory elements with ferroelectric and metal-oxide-semiconductor structures
| dc.contributor.author | Տրավաջյան, Լևոն Միսակի / Travajyan Levon | |
| dc.date.accessioned | 2025-04-29T10:24:58Z | |
| dc.date.available | 2025-04-29T10:24:58Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.description | Ե.27.01 «Պինդմարմնային էլեկտրոնիկա, ռադիոէլեկտրոնային բաղադրամասեր, միկրոէլեկտրոնիկա» մասնագիտությամբ տեխնիկական գիտությունների թեկնածուի գիտական աստիճանի հայցման ատենախոսություն ; Երևան-2012 ; Ատենախոսության թեման հաստատվել է Հայաստանի պետական ճարտարագիտական համալսարանում ; Գիտական ղեկավար՝ Վ. Վ. Բունիաթյան ; Պաշտոնական ընդդիմախոսներ՝ Վ. Շ. Մելիքյան, Ս. Վ. Մելքոնյան ; Առաջատար կազմակերպություն՝ «Երևանի կապի միջոցների գիտահետազոտական ինստիտուտ» ՓԲԸ ; Սեղմագիր՝ 25 էջ։ | |
| dc.description.abstract | Ферроэлектрические запоминающие устройства с произвольным доступом являются следующим поколением будущих запоминающих устройств благодаря высокой скорости, низкой стоимости, малому энергопотреблению, энергонезависимости и хорошей совместимости с существующей технологией интегральных схем / Ատենախոսությունը նվիրված է ֆերոէլեկտրական հիշող սարքավորումների մասշտաբավորման, ինտեգրացման խտության և արագագործության բարձրացման հնարավորությունների, հիստերեզիսային ու հոգնածության երևույթների, ինչպես նաև ջերմաստիճանային պարամետրերի փոփոխման լայն սահմաններում բնութագրերի հետազոտման, մշակման և իրականացման խնդիրներին / Ferroelectric random access memories are the next generation future memories due to high speed, low cost, low power, nonvolatality and good compatibility with the existing integrated circuit technology | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.nla.am/handle/123456789/14062 | |
| dc.language.iso | rus | |
| dc.pages | Սեղմագիր՝ 25 էջ | |
| dc.publication.place | Երևան | |
| dc.publisher | ՀՀ ԿԳՆ Հայաստանի պետական ճարտարագիտական համալսարան | |
| dc.subject | Տեխնիկական գիտություններ / Engineering & Technology | |
| dc.title | Разработка и исследование быстродействующих перепрограммируемых элементов памяти с ферроэлектрической и металл-оксид-полупроводник структурами / Ֆերոէլեկտրական և մետաղ-օքսիդ-կիսահաղորդիչ կառուցվածքներով վերածրագրավորվող արագագործ հիշող տարրերի մշակումը և հետազոտումը / Development and research of high-speed reprogrammable memory elements with ferroelectric and metal-oxide-semiconductor structures | |
| dc.type | Abstract | |
| eperson.lastname | NM |