Разработка и исследование низковольтных узлов ввода-вывода управления памятью / Ցածրավոլտ հիշողության ղեկավարման մուտք/ելք հանգույցների մշակումը և հետազոտումը / Development and research of low-voltage memory control input/output devices
Разработка и исследование низковольтных узлов ввода-вывода управления памятью / Ցածրավոլտ հիշողության ղեկավարման մուտք/ելք հանգույցների մշակումը և հետազոտումը / Development and research of low-voltage memory control input/output devices
No Thumbnail Available
Date
2024
Authors
Գևորգյան, Վազգեն Սեմյոնի / Gevorgyan Vazgen
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Հայաստանի ազգային պոլիտեխնիկական համալսարան
Abstract
Технологические процессы производства современных интегральных схем (ИС) активно развиваются. Минимальная длина канала используемых в них полевых транзисторов металл-оксид-полупроводни (MOIT) достигает 2 нм / Արդի ինտերգրալ սխեմաներում (ԻՍ) տրանզիստորների քանակը շարունակական կերպով աճում է: Դրան նպաստում է տեխնոլոգիական գործընթացի ակտիվ զարգացումը: ԻՍ-երում օգտագործվող մետաղ-օքսիդկիսահաղորդիչ (ՄՕԿ) դաշտային տրանզիստորների հոսքուղու նվազագույն երկարությունը ներկայումս հասնում է 2նմ-ի / The number of transistors in modern integrated circuits(IC) is continuously increasing
Description
Ե.27.01 «Էլեկտրոնիկա, միկրո և նանոէլեկտրոնիկա» մասնագիտությամբ տեխնիկական գիտությունների թեկնածուի գիտական աստիճանի հայցման ատենախոսություն ; Երևան-2024 ; Ատենախոսության թեման հաստատվել է Հայաստանի ազգային պոլիտեխնիկական համալսարանում (ՀԱՊՀ) ; Գիտական ղեկավար՝ Վ. Շ. Մելիքյան ; Պաշտոնական ընդդիմախոսներ՝ Օ. Հ .Պետրոսյան, Մ. Տ. Գրիգորյան ; Առաջատար կազմակերպություն՝ «Երևանի կապի միջոցների գիտահետազոտական ինստիտուտ» ՓԲԸ ; Սեղմագիր՝ 22 էջ։
Keywords
Տեխնիկական գիտություններ / Engineering & Technology